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发现了Petroff，J.F.的8条引文。

Petroff，J.click共有8篇文章在这里来看看这些。

搜索彼得罗夫，J.F。世界结晶学家名录

结果1到8，按名称排序：

Fe/Si（111）界面的X射线驻波研究

B.卡佩尔,A.塔科恩,J.-C.布利亚德,C.马尔格兰奇,A.利夫奇茨和J.-F.佩特罗夫

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GaSe/Si（111）界面结构的X射线驻波研究

B.卡佩尔,J.F.彼得罗夫,J.C.布利亚德,A.科贝尔和Y.Zheng先生

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人造丝X衍射强度梯度热效应（T.G.s.）

A.伊兹雷尔et（等）J.F.彼得罗夫

各向异性晶体中的各向异性应变(即.T.G.S.晶体）。样品的X射线反射能力与应变梯度有关。将振荡热梯度下反射功率振荡的实验测量结果与各向异性应变梯度振荡的计算结果进行了比较，并取得了良好的一致性。在正常操作条件下，室温的随机波动会使样品发生充分畸变，从而使X射线截面形貌图上的彭德尔松条纹完全模糊。

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（Ga）中的缺陷_1-x个铝_x个作为）n个₁-（砷化镓）n个₂/用X射线衍射技术观察砷化镓超晶格

J.F.彼得罗夫,M.Sauvage Simkin先生,S.本苏桑,B.卡佩尔,P.奥夫雷和M.鲍德特

（Ga）中的生长缺陷_1-x个铝_x个作为）n个₁-（砷化镓）n个₂/采用X射线衍射技术结合图像和摇摆曲线记录，研究了生长在GaAs（001）衬底上的GaAs超晶格。使用同步辐射源可以获得由非常微弱的超晶格反射形成的地形图像。在这些图像中观察到的样品表面上的强度分布揭示了两种不同类型的超晶格缺陷：要么是平均成分和周期的总体梯度，要么是显示与周围材料不同成分和时间的岛屿。由于这些参数控制光电特性，特别是间隙值，因此生长均匀样品并具有能够检测不均匀性（如本工作中所述）的技术至关重要。

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同步辐射X射线范围内的旋转功率测量：NaBrO的实验装置和初步结果_三单晶

M.索瓦吉,C.马尔格兰奇和J.-F.彼得罗夫

NaBrO的比旋度_三用一种特殊设计的硅单色器-偏振器从白色同步辐射光谱中提取的X射线束测量单晶。详细描述了单色器的原理和预期性能，输出光束的特性如下：极窄的角度和波长扩展(Δθ=7微拉德，Δλ= 8 × 10^–6 Ω），近纯线性极化（极化比2.5×10⁸). 波长选择得非常接近溴K（K）边缘(λ−λ_K（K）= 2 × 10^–3 为了利用可能的共振效应。实验装置为交叉偏振器型，分析仪为GaAs晶体，可调整为555反射布拉格角θ_A类等于44.95°。在这些条件下测得的比旋转为0.35±0.31°cm⁻¹。对这个小值提出了一个解释。

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异质结构中的X射线驻波：对Zn的应用_1-x个有限公司_x个ZnO（00。 $\酒吧1$ )-O基底

Y.Zheng先生,J.C.布利亚德,A.索耶和J.F.Pétroff（彼得罗夫）

根据动力学理论分析了薄外延层和外延层下衬底的X射线驻波（XSW），并将其应用于锌_1-x个有限公司_x个ZnO（00。 $\酒吧1$ )-O基板。

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β-二硅化铁（β-FeSi）中的平面缺陷₂)透射电镜分析与建模

Y.Zheng先生,A.塔科恩和J.F.彼得罗夫

在β-通过透射电子显微镜观察二硅化铁。通过电子衍射图确定为（100）[011]/2固有层错，并在高分辨率晶格图像中观察到。在将缺陷位置设置为x个=单元内¼。

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β-FeSi中层状结构的证据₂用固相外延法在Si（111）上生长薄膜：透射电子显微镜分析

Y·郑,A.塔科恩,甘地先生和J.F.Pétroff（彼得罗夫）

薄膜β-硅铁₂用透射电子显微镜（TEM）分析了在超高真空（UHV）条件下用固相外延（SPE）技术在Si（111）上生长的。预期的外延，β-硅铁₂（101）/Si（111）和β-硅铁₂（110）/Si（111）的薄膜厚度小于~250℃。本分析揭示了一种不寻常的微观结构：薄膜由平面缺陷诱导的两个取向的极薄薄片（5–30°）组成。这种层状薄膜是应变的，参数偏移估计约为0.4%。对于这些薄膜，获得了μm范围内的晶粒尺寸，并且界面粗糙度随着薄膜厚度的增加而增加。意外的电影定位，β-硅铁₂还发现了（100）/Si（111）。

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