已使用EBSP（电子背散射图案）技术验证并完成了Rouag[Thèse de Doctorat d'Etat（1988），University de Paris Sud，Orsay，France]关于Fe-3%Si薄片中高斯晶粒异常生长期间晶体结构和晶界的影响的研究，等级Hi-B。在三个水平上测量了1000个定向：在表面，在距表面五分之一厚度处，以及在板材的中间。这种技术允许计算真方位分布函数（ODF），而这是使用X射线（或中子）衍射所无法实现的。实际上，对于X射线衍射，只能确定ODF的偶数部分。对于ODF的偶数部分，EBSP得到的结果与X射线衍射得到的结果一致，并表明奇数部分的贡献（约为真实ODF的20%）的重要性。然后确定方位数的最小值以评估ODF统计。这项简短的研究表明，在每个级别确定至少1000个测量值是有用的。从这3000次测量中，确定了晶界的性质，显示出与文献中获得的结果良好一致。特别是，重合位点阵（CSL）边界的百分比（约10%）似乎与采样位置无关。此外，另一项关于取向数对晶界性质影响的简短研究表明，如果考虑大约750个测量值，则可以获得良好的表征。
