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为Mignot,J发现了7处引文。

搜索Mignot,J。世界结晶学家名录

结果1到7,按名称排序:


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SmB6是一种具有表面导电性的近藤绝缘体,最近被提议进行拓扑保护。我将描述一个非弹性中子散射实验,探测低温下SmB6单晶中宽能量范围内的磁激发。与Alekseev等人之前的发现一致,在布里渊区X点和R点附近的低温下,观察到了14 meV附近的共振模式。激励的总色散小于1 meV。作为5d电子形状因子,较高布里渊区的强度迅速下降。综合的非弹性散射数据提供了关于潜在的、假定的拓扑的、杂化的能带结构的间接信息。IQM的工作得到了美国能源部基础能源科学办公室材料科学与工程部的支持,获得了DE-FG02-08ER46544奖。ORNL的工作得到了LDRD 06576的支持。

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Cu-1,35 at.%Sn合金通过压缩变形,变形程度达到45%。通过对由此变形的大块试样进行X射线衍射研究,可以跟踪诸如晶格参数、残余应力和r.m.s.应变、粒度、位错密度以及变形方面的堆垛故障概率等元素的演变。将观察到的不同结果与研究纯铜以及上述合金在室温下锉削变形时获得的结果进行了比较。用透射电子显微镜研究大块试样时,测量了位错密度。本文还介绍了一种确定该合金堆叠故障能量的近似方法,该方法不存在扩展节点。

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了解有助于重建X射线衍射轮廓的数学表达式可能非常有用。事实上,处理一个关系更容易(θ) =(f)(θ) 而不是在一系列实验点上。本文提出的关系,

I(x)=A\big[cos\pi{(x-x_o-\delta)\over A}\big]^{n}{K^2\over K^2+(x-x{0})^2},

给出了单色光源的实验值和计算值之间的良好对应关系。它的使用在双倍体的情况下仍然非常简单,K(K)α1 K(K)α2,可以表示为:

I(x)=I_{K\alpha_{1}}(x)+\textstyle{1\over2}I_{K\alpha_{1}}(x-\Delta)。

K(K)α1(x个)由前面的表达式给出,Δ表示偶极子的角分离。为了验证所提关系的有效性,使用了不同形式的轮廓,并将结果与Rachinger经典方法的结果进行了比较。


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的表达式A类(L(左))X射线衍射线的傅里叶系数是在假定弦分布为高斯函数的情况下得出的, A类(L(左))≃ ( 1 -{{L}\在{D}}上+{{L^{2}}\在{2\sigma\radic2\pi D}}+\dots上)经验(-2π2L(左)2某人2{\bar\epsilon}^{2}_{左}+ ⅔π4L(左)4某人4{\bar\epsilon}^{4}_{五十} +\点) =A类第页(L(左))A类ε(L(左))然后进行各种应用,以给出中出现的每个项的相对大小A类(L(左)). TheL(左)2二次项A类第页(L(左))对弹性各向同性W的特殊情况进行了数值计算,得到了以往工作中忽略的非简谐项{\bar\epsilon}^{4}_{L}项显示为105小于m.s.(均方)应变{\bar\epsilon}^{2}_{左}对于同一种金属。双曲线行为作为的函数L(左)为这些术语找到。表达式的近似定律A类(L(左))然后通过计算展开式中每个项的相对大小来推导。可使用该定律从单线剖面计算粒径和m.s.应变:A类(L(左))≃ ( 1 -{{L}\在{D}}上)经验(-2π2L(左)2某人2(〈{\epsilon}^{2}_{左}〉 - 〈{ε}_{L}2) . 然后用多项式展开近似方法将结果与先前获得的值进行比较。这种关系使我们能够计算实验上可能达到的每个晶体方向上的粒度和m.s.应变值。然后,推导了弹性各向异性对Cu-Sn和W-Th合金均方根应变行为的影响。

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许多X射线衍射图显示出重叠的谱带,这里的目的是找到一种分离这些谱带的方法。该方法基于这样一个事实,即衍射带可以由以下类型的数学公式准确描述:

I(x)=A\大[{\rm-cos}\pi\大({x-x_{0}-\△\over a}\Big)\Big]^{n}{K^{2}\over K^{2]+(x-x_0)^{2{}。

因此,可以使用以下关系来处理两个频带的重叠:I(x)=I_1(x)+I_2(x)其中,两个频带中的每一个由上述表达式描述。结果的有效性可以通过方差范围函数和傅里叶分析进行检验。这些剖面分析方法既可用于分离条带,也可用于叠加剖面中的条带。该方法的第二个应用涉及在某些合金如Cu-Ni-Fe的旋节分解中出现的侧带问题。这些边带与衍射峰相比非常宽,可用纯洛伦兹函数描述:

I(x)=BK^2/K^2+(x-x_0\pm\varphi)^2。

.使用满足这两类方程的函数之和平滑实验轮廓,即使在边带强度较弱且实验上无法直接测量其位置时,也能获得良好的结果。此方法可应用于所有结构变换。

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