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III-V中的非中心对称效应和极性测定讨论了使用CBED的半导体。结果表明,在精心选择的衍射条件下,GaAs和InP中都可能观察到强烈的非中心对称效应。利用布洛赫波理论和动态多光束计算讨论了这些效应及其解释。

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