Cowley和Moodie率先提出的多层方法最近被用于模拟环形暗场扫描透射电子显微镜（ADF STEM）图像。本文介绍了使用这种新方法进行的一系列计算，其实验参数适用于VG-HB501 STEM，以研究薄晶硅膜上单个重吸附原子的可见度。电子沿着晶体中的原子柱通道的趋势可以极大地增加入射到出射表面上的吸附原子上的强度，从而增加吸附原子的可见性。模拟表明，一列晶体原子出口表面上的吸附原子的可见程度是入口表面上吸附原子的三倍，并且随着晶体厚度的增加，吸附原子仍保持高度可见。倾斜样品或将吸附原子从柱上移开似乎会显著降低吸附原子的可见度。这些计算表明，在适当的成像条件下，在至少235个（111）硅上可以看到单个金吸附原子。
