利用7.47815keV特性的高能分辨率X射线光谱仪的性能Kα1描述了镍的发射线。这条线的单色化是通过布拉格反射在聚焦完美的硅单晶上以近后向散射几何结构实现的(ΘB类= 89.61°). 利用533反射，晶格参数之间的合理匹配天和X射线波长λ实现了(λ=2天罪ΘB类≃ 2天). 通过改变温度来调节X射线能量，从而改变晶格间距天硅晶体。单色仪的能量分辨率仅为38 meV。使用结构与单色仪相同的分析仪测量的整个仪器的能量分辨率为54meV，与计算值非常一致。单色X射线的强度为4.5×106量子−1，如果是10 kW X射线发生器，则集中在全宽2.7 mm的点上(U型=50千伏，我=200 mA）。同样，该值与使用公布的X射线发射数据进行的计算一致。电子束的有效光斑尺寸为1×1mm。结果表明，原则上，将硅晶体加热到570 K可以使强度进一步增加一个数量级。
