表征Li-MgO和Li-La近表面和体相的缺陷位置2哦三-在Mg K边缘和La L3边缘使用MgO、XANES。对于Li-MgO,可以认为低含量(2.5wt%)的Li掺杂只会在近表面形成缺陷物种。这是由于掺杂锂离子在表面的局域化,因此表面区域存在含有[Li+-O-]型中心的催化活性物种。OCM反应后,MgO和Li-MgO的近表面形成缺陷物种。通过添加La2哦三对于Li-MgO(La/(Mg+La)=0.25),反应过程中表面的结构变化几乎被抑制。此外,Li-La2哦三-MgO显示出比Li-MgO更高的C2选择性。