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发现54处Holy,V的引文。

搜索神圣,V。世界结晶学家名录

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周期性Co/SiO2采用掠入射小角X射线散射、X射线衍射和飞行时间弹性反冲检测分析方法研究了磁控溅射沉积的多层膜。在沉积过程中,Co纳米颗粒被自发地产生和排列,形成三维周期性阵列。

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自组装过程表明,在非晶态氧化铝基体中形成规则有序Ge量子点的各向异性晶格。所制备的材料显示出强烈的电输运各向异性。

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《水晶学报A》。(2015年)。A类71,第378页
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在这项工作中,提出了一种用于表征超低能注入硅晶片的X射线散射方法的组合。掠入射X射线散射对限制在薄晶层内的残余缺陷的性质很敏感;X射线衍射提供晶格应变的深度分布,镜面反射率提供电子密度分布。

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《水晶学报A》。(2015年)。A类71,s400个
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最新虚拟专刊应用晶体学杂志重点介绍了2016年9月在捷克共和国布尔诺举行的第13届高分辨率X射线衍射和成像双年展(XTOP 2016)的一些亮点。

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单个纳米线的弯曲半径和应变是使用纳米聚焦光束的X射线衍射和强弯曲晶体的专用衍射理论确定的。电子显微镜研究证实了这一结果。

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应用同步辐射相干纳米束X射线衍射方法研究了GaAs单根纳米线中层错的类型、数量和层错之间的精确距离。

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给出了由单层薄膜组成的可能直接带隙Si/Ge超晶格的X射线衍射结构分析结果,以及理论预测和首次光学测量。

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本文提出了一种精确计算晶体截断棒X射线衍射强度的方法。

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本文对外延InGaN层中In浓度的局部不均匀性引起的X射线漫散射进行了理论研究。

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高能双晶X射线衍射以前只在放射源上得到证实。非常低的吸收、无消光和高分辨率的优点在各种实验中都得到了明确的证明。这里报道的实验是首次使用高能X射线管进行的,该X射线管可提供高达160keV的辐射。通过双晶摇摆曲线研究了硅、锗和氟化钙在非常厚的样品中的镶嵌扩展。在10 mm厚的萤石、25 mm厚的锗和硅中测量了从1’’弧到几分钟弧的镶嵌扩展。大块晶体材料的常规无损表征是可能的,当高能存储环在电磁光谱的这一部分提供明亮的同步辐射时,许多新的机会将变得可用。

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