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在M.J.汉普郡发现2处引文。
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马萨诸塞州汉普郡。
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J.应用。
克里斯特。
(1977年)。
10
,
130-131
https://doi.org/10.107/S0021889877013065
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CuGaSe的晶体数据
2
L.曼德尔
,
R.D.汤姆林森
和
M.J.汉普郡
给出并分析了半导体化合物CuGaSe的X射线粉末数据
2
其中,单晶是通过分区生长技术制备的。
的值
一
=5.614和
c(c)
测定了=11.022?,并使用衍射仪测量强度,以确定原子在单元胞中的位置。
报告了一些霍尔效应和电阻率数据,这些结果表明,该结构含有浓度接近0.1%的天然缺陷。
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J.应用。
克里斯特。
(1973).
6
,
414-416
https://doi.org/10.107/S0021889873009027
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CuInSe的晶体数据
2
J.帕克斯
,
R.D.汤姆林森
和
M.J.汉普郡
给出并分析了半导体化合物CuInSe的X射线数据
2
,通过区域平整进行准备。
的值
一
=5.782和
c(c)
=11.620º,已确定,强度计算已用于评估原子间分离和键角。
讨论了与电特性有关的化学计量学的一些方面,化合物的结构可能被少量的硒空位所修饰。
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