通过X射线衍射谱线展宽分析，研究了锂铁氧体反相畴的形成和生长。参数的计算J型'（0）/J型（0）已通过Wilson&Zsoldos的方法进行[程序。R.Soc.伦敦，（1966），A290，508-514]，对于各种边界结构模型，允许存在对映体。实验结果表明，边界主要形成在{110}平面上，这符合四面体电荷不变性原理。还发现，在生长的初始阶段，磁畴厚度分布类似于高斯曲线，但随着进一步生长，它呈现出截断的Cauchy-like特征。这种变化的速度与平均畴厚度的生长依赖性时间密切相关。最后，生长过程的活化能为3.1±0.8 eV，与计算值（2.53 eV）合理一致。
