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Comes，R.共被引用14次。

搜索R·科姆斯。世界结晶学家名录

结果1至14，按名称排序：

银β-氧化铝低温微畴的X射线散射研究

J.P.布瓦洛特,J.塞里,R.科隆格斯,R.Comès公司和A.吉尼亚

X射线散射的半定量分析β-在20K和室温之间的氧化铝显示出导电离子的组织随温度的变化。早先报道的低温超结构从未实现长程有序。如占位因子所反映的，2D畴的大小和畴内的有序度在77K左右达到饱和。在此温度以上，尺寸从其饱和值45º减小到400K时的约10º，同时畴内有序度也相应降低。占据因子可在高达220K的温度下确定，并在室温下外推至接近传统结构分析确定的平均占据率的值。

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缺陷NiAs型化合物Ni的结构和平面断层₁₇S公司₁₈

G.科林,C.查万特和R.Comès公司

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Désordre linéaire dans les cristaux（硅石、石英石和玻璃陨石）

R.Comès公司,M.兰伯特et（等）A.吉尼亚

许多晶体产生X射线的漫散射，这种散射局限于一系列相关平面中。结果表明，晶体中相应的线性无序可能有不同的起源。在硅中，散射是由热振动引起的，晶体的弹性特性很好地解释了这一点。在中子辐照石英中，辐射损伤是散射的主要部分_三和KNbO_三详细讨论了。提出了一种线性无序，它比软模的另一种解释更能解释4个同素异相散射的不同分布。尽管有一些中子非弹性散射结果，但尚不可能区分静态无序和动态无序。

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不均匀过渡métal-isolant dans V_0,90编号_0,10哦₂由于未发现当地钒原子

R.Comès公司,P.费利克斯,M.兰伯特et（等）G.维伦纽夫

V的X射线漫散射_0.90编号_0.10哦₂表明，在-25°C左右发生的金属-绝缘体相变没有整体结构变化，可以通过钒原子的局部配对来解释。这个地方订单，让人想起了纯VO的低温绝缘结构₂是二维的，出现在平均金红石结构的（110）面上，连续平行（110）个原子面之间的相关性很小。

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线性局部顺序

R.Comès公司

如果合金或中子辐照材料中一个或二维局部有序的出现已经知道很多年了，那么由于原子沿独立链的位移或相关运动，通过X射线和中子散射观察到的准一维有序是最近的。给出了要讨论的示例。

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超离子导体β中导电离子的局部排列_银-氧化铝

R.Comès公司,Y.Le汽车和J.塞里

用X射线漫散射研究了β-氧化铝中导电离子的组织随温度的变化。

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一维导体和超导体相变的结构研究

R.Comès公司

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NaNbO的X射线漫散射_三作为温度的函数

F.德诺耶,R.Comès公司和M.兰伯特

NaNbO X射线漫散射的定性描述_三给出了800°C以下温度下单晶的函数。在{100}倒易平面和（100）倒易轴上观察到的两种不同的漫反射散射。虽然倒易平面中的漫散射在不同的相变中没有表现出临界行为，并且可以归因于类似于先前对KNbO提出的“线性无序”_三，倒数轴上的漫散射在641°C相变附近至关重要。持续到800°C的线性无序所涉及的原子位移归因于铌原子；立方相中的临界平面无序归因于氧八面体的旋转，类似于SrTiO的旋转_三和KMnF_三这两种无序都存在于立方顺电相中。

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NaNb高温阶段练习曲_三以及特征的相关性

F.Dénoyer,R.Comès公司,M.兰伯特et（等）A.吉尼亚

从X射线漫散射图的研究中可以看出，在641、575和520°C时，位于立方相三个等效倒数杆（100）上的漫散射相继消失。这种解释是根据平面局部顺序给出的。

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双（1,2-苯并喹啉二氧环）碘链的X射线散射和结构₂镍0.5I[Ni（BCD）₂0.5I]

H.恩德斯,H.J.凯勒,Mégnamisi-Bélombé先生,W.莫罗尼,H.普里茨科夫,J.维斯和R.Comès公司

标题化合物（含有线性碘链）的X射线散射表明I的形成_三离子。这些阴离子是从它们的平均位置无序的。这种混合价一维固体中镍原子的氧化数为2.17。

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缺陷NiAs型化合物3中的结构和平面断层c（c）铁₇S公司₈

F.Keller-Besrest公司,G.科林和R.Comès公司

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确保铝β传导的阳离子组织

Y.Le汽车,R.科梅斯,L.德尚et（等）J.塞里

用X射线漫散射研究了导电离子的组织随温度的变化。在高温（750°K）下，导电离子以垂直于c（c）轴，在低温（77°K）下，它们形成微域，对应于晶格常数为一√3 = 9.68 Å (一=晶格常数β氧化铝）。这些微畴的大小在77°K时约为50º，随着温度的升高而逐渐减小。

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高压诱导的可公度性对有机金属中Peierls跃迁的影响：TTF-TCNQ

S.梅格特,C.维蒂尔,R.Pynn公司和R.科梅斯

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镧中四方到正交结构转变的相图_2-x高级_xCuO公司₄

R.莫雷特,J.P.普吉,R.来了和G.科林

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