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克里斯蒂安森，G。
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J.应用。
克里斯特。
(1971).
4
,
370-375
https://doi.org/10.107/S0021889871007222
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硅X射线干涉仪中生长位错应变场的研究
G.克里斯蒂安森
,
L.Gerward先生
和
安达信
从硅单晶上切下劳厄-凯斯X射线干涉仪。
其中两个切片没有错位。
第三个包含滑移，在晶体生长的最后阶段，约60个位错在两个紧密滑移面上发射。
直接观察到位错，并在X射线形貌图中确定了位错的伯格矢量。
在用铜制作的干涉图中，研究了由滑移应变场引起的莫尔条纹
K（K）
α和Mo
K（K）
α辐射。
给出了应变场的一些计算方法。
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《水晶学报》。
(1975).
A类
31
,
142-145
https://doi.org/10.107/S056773947500241
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利用特征X射线劳厄法进行晶体的高精度定向
G.克里斯蒂安森
,
L.Gerward先生
和
I.阿尔斯特鲁普
先前开发的一种精确定向完美或接近完美晶体低折射率平面的方法已扩展到具有任意折射率的平面。
通过预测由特征X射线引起的劳厄斑点的后向反射模式，以及通过识别在获得正确方向时应具有相同强度的斑点，完成了延伸。
在有利的情况下，可以将样品晶体定向在所需定向的0.01°范围内。
在不能使用等密度标准的情况下，使用预测模式的定向精度至少与使用传统劳厄方法的定向精度一样好。
此外，无需测量斑点之间的角距离或晶体与薄膜之间的距离。
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《水晶学报》。
(1976).
A类
32
,
168
https://doi.org/10.1107/S0567739476000351
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回复麦金太尔和巴妮亚对我们文章的评论
利用特征X射线劳厄法进行晶体的高精度定向
G.克里斯蒂安森
,
L.Gerward先生
和
一、阿尔斯特鲁普
双方同意，在克里斯蒂安森、格沃德和阿尔斯特鲁普的方法中，误差必须保持较小[
《水晶学报》。
(1975).
A类
31
Mclntyre&Barnea指出[
《水晶学报》。
(1976).
A类
32
, 168].
关于分散度的评论包含在原始论文中。
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J.应用。
克里斯特。
(1989).
22
,
397
https://doi.org/10.107/S002188988900539X
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劳
-劳厄法晶体高精度定向程序
G.克里斯蒂安森
和
L.Gerward先生
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