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R.A.拜尔林。
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J.应用。
克里斯特。
(1977).
10
,
79-83
https://doi.org/10.107/S0021889877012953
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Th的结构
4
D类
15
来自Argonne ZING-P脉冲中子源的测量
M.H.米勒
,
R.A.拜尔林
,
J.D.Jorgensen(约根森)
,
T.O.布伦
,
C.B.Satter Thwaite公司
和
R.卡顿
超导体Th
4
D类
15
在阿贡国家实验室用散裂中子源(ZING-P)进行了中子衍射研究。
粉末数据的轮廓细化
d日
0.65到1.95之间的间距,对应于1.26到3.77之间的中子波长范围,证实了Zachariasen提出的结构[
《水晶学报》
. (1953),
6
, 393-395].
b.c.c.细胞,
我
3
d日
(
一
0
=9-11μl),Th的
4
D类
15
16时含有16个Th原子(
c(c)
) [
x个
Th公司
=0.2066(3)]和60 D原子,12(
一
)和48(
e(电子)
) [
x个
= 0.3706 (7),
年
=0.2155(7),以及
z(z)
= 0.4048 (7)].
Th原子沿着平行于四个体对角线的四个不相交链等距分布(3.95Å)。
一般位置D原子,48(
e(电子)
),沿着与每个Th原子大致等距的链形成小的等边三角形。
沿着链条的相邻三角形相互旋转±19.5(2.0)°。
D原子在12(
一
)以Th原子的近规则四面体为中心,由每条链中的一个成员组成,仅与相邻的四面体共享角。
每个Th原子都是在一个由三个12组成的笼中发现的(
一
)加九48(
e(电子)
)D原子。
给出了295和92K下Th和D原子的德拜-沃勒因子的结果,并与Pd-H中德拜-瓦勒因子的值进行了比较。
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J.应用。
克里斯特。
(1977).
10
,
167-171
https://doi.org/10.107/S002188987701317X
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硅的高压中子衍射研究
2
N个
2
O(运行)
S.R.斯里尼瓦萨
,
L.Cartz公司
,
J.D.Jorgensen(约根森)
,
T.G.沃尔顿
,
R.A.拜尔林
和
M.比利
硅的晶格参数、键长和键角
2
N个
2
已经通过飞行时间中子衍射在高达23kbar的压力下测定了O。
正交结构的平均压缩系数为
K(K)
一
= 21 (2),
K(K)
b条
= 34 (2),
K(K)
c(c)
=25(2)和
K(K)
ν
=79(4)x 10
−5
千巴
−1
尽管各向异性在较低压力下更加明显,Ka(零压力)估计为10(8)×10–5 kbar
−1
对压缩的主要贡献是相邻SiN的合作旋转
三
O四面体是由Si–O–Si键角减小引起的。
每个四面体中一个Si–N键的缩短进一步增强了压缩,特别是沿着
b条
方向。
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