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安德森A.L。
世界水晶学家名录
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J.应用。
克里斯特。
(1974).
7
,
296-297
https://doi.org/10.107/S0021889874009587
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能量色散衍射谱中Si(Li)探测器引起逃逸峰的证据
B.伯拉斯
,
J.S.奥尔森
,
A.L.安徒生
,
L.Gerward先生
和
B.自拍
硅的外观和识别
K(K)
报道了能量色散X射线衍射光谱中的α逸出峰。
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《水晶学报》。
(1975).
一
31
,
327-333
https://doi.org/10.107/S056773947500691
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能量色散光谱法在单晶X射线衍射中的应用
B.伯拉斯
,
J.S.奥尔森
,
L.Gerward先生
,
B.自拍
和
A.L.安徒生
描述并研究了两种单晶能量色散晶体学方法(固定晶体法和旋转晶体法)。
导出了镶嵌和完美单晶的积分强度公式。
给出了一个理想锗晶体的实验结果以及测量和计算的积分强度的比较。
讨论了这些方法的特点和可能的应用。
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J.应用。
克里斯特。
(1971).
4
,
370-375
https://doi.org/10.107/S0021889871007222
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硅X射线干涉仪中生长位错应变场的研究
G.克里斯蒂安森
,
L.Gerward先生
和
A.L.安徒生
从硅单晶上切下劳厄-凯斯X射线干涉仪。
其中两个切片没有错位。
第三个包含滑移,在晶体生长的最后阶段,约60个位错在两个紧密滑移面上发射。
直接观察到了位错,并在X射线拓扑图中确定了它们的Burgers矢量。
在用铜制作的干涉图中,研究了由滑移应变场引起的莫尔条纹
K(K)
α和Mo
K(K)
α辐射。
对应变场的一些评价方法进行了论证。
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