1.简介
FLASH是位于汉堡DESY的自由电子激光器(FEL),为用户提供超快的XUV和软X射线辐射,以进行泵-探针实验。FLASH有两个独立的FEL波荡器光束线(Faatz等人。, 2016):FLASH1和FLASH2。每个FEL分支都以一个具有多条光束线的专用实验大厅结束。
FLASH1有一个独特的功能,即安装在XUV波荡器下游的专用THz波荡器。这一特性允许产生XUV脉冲的同一电子束产生强太赫兹脉冲(Stojanovic&Drescher,2013),如图1所示由于THz和XUV波动器被空漂移空间隔开,由同一电子束产生的XUV和THz脉冲自然同步,定时抖动不超过5 fs(Frühling等人。, 2009)。此外,THz脉冲是载波包络相位(CEP)稳定的。在THz波荡器的下游,电子束被所谓的电子束转储磁体(以下简称转储磁体)偏转到地面。该阶段将电子束与光子(THz和XUV)束分离。倾卸磁铁本身会产生强烈的太赫兹瞬态,主要是通过边缘和弯曲辐射过程(Tavella等人。, 2011; 杰洛尼等人。, 2009一,b条)。由于束线设计针对正向辐射进行了优化,而弯曲辐射是沿着弯曲切线方向产生的,因此仅在THz束线下游收集了总弯曲辐射的一部分(估计为11.4%)。THz和XUV光束由一个大平面镜(210 mm×140 mm)隔开,XUV光束的孔径为10 mm(Gensch等人。, 2008)。将THz光束传输到实验大厅的距离超过-70 m需要多重准直,这由全反射光学系统提供。通过这种独特的光子产生方案,FLASH1的光子光谱扩展到了长波长范围。如图1所示,FLASH1涵盖1.4 nm至52 nm的XUV范围,包括谐波(Tiedtke等人。, 2009),THz范围为1µm至300µm以上(300 THz至1 THz)。使用独立同步的近红外(NIR)激光器(Redlin等人。, 2011)FLASH1的中心波长为800 nm,可以同时为用户提供XUV、THz和NIR激光束,以研究光子与物质的相互作用。
| 图1 FLASH1太赫兹光子源方案。(一)THz波荡器位于XUV波荡器的下游,由自由空间隔开。电子束转储磁体跟随太赫兹波荡器。(b条)在宽光谱范围内,可以从XUV和THz源在FLASH1中获得的脉冲能量的表示。 |
基于图1所示的方案,有两种类型的强THz源。第一个是太赫兹波荡器(格林等。, 2010)产生可调谐、线性极化(水平)、窄带宽度(=10%)辐射。波长可从1µm调谐到300µm以上。可以达到的最长波长取决于给定THz波动周期和峰值场的电子束能量(见图2)。根据FLASH加速器参数(主要是电子束电荷及其压缩),传递给实验的脉冲能量可以达到150µJ。
| 图2 太赫兹波荡器光谱范围。阴影区域表示FLASH1可以达到THz波荡器辐射基频的范围,作为FEL XUV波长(下横轴)和直线加速器中电子束能量(上横轴)的函数。 |
THz辐射的第二个来源是产生边缘和弯曲辐射的倾卸磁铁。边缘辐射由自由空间和倾卸磁场(Tavella)之间界面处电子束的纵向加速度产生等人。, 2011; 杰洛尼等人。, 2009一,b条)。这种辐射具有较宽的光谱带宽(准单周期时间剖面),径向极化,并沿电子束传播的正向产生。电子还沿卸载磁铁的弯曲电弧产生弯曲辐射。与电子经历的21°完全弯曲相比,倾卸磁铁真空室的弯曲辐射接受角相对较小(2.4°)。因此,只有前向辐射中辐射的弯曲辐射的一部分被收集到THz波束线中。此外,弯曲辐射具有宽带宽(准单周期时间剖面),并呈线性极化。弯曲辐射由太赫兹光束线收集,主要来自弯曲平面,因此主要在垂直方向上偏振,垂直于太赫兹波荡器脉冲偏振。边缘和弯曲倾倒磁铁的组合辐射可以达到10µJ以上的脉冲能量。这种辐射是寄生产生的,可以独立于波动辐射使用。
THz光束线将光束传输到FLASH1实验大厅BL3 XUV光束线末端的终端站(见图3)。THz光束可以通过两个分支传输到实验中,一个是具有超高真空传输的短分支(10−9 mbar)和一个长的通过THz诊断柜的高真空传输(10−7 毫巴)。由于光路的差异,THz脉冲到达终点的时间晚于XUV脉冲,短分支为12 ns,长分支为21 ns。我们在实验中使用了两种方法来实现XUV和THz脉冲的时间重叠:第一种方法是通过多层镜重新聚焦来延迟XUV脉冲;第二种方法是在FLASH电子枪处产生两个电子束,定时以实现实验中各自THz和XUV脉冲的时间重叠(Zapolnova等人。, 2018).
| 图3 FLASH1实验大厅THz光束线方案。THz光束通过两个分支之一被传送到BL3 XUV光束线的终端站。 |
对于来自FLASH THz光束线的CEP稳定本征同步THz脉冲,有许多独特的应用。原子和分子物理是一个重要的科学领域。这里THz字段可以作为条纹相机,允许在几飞秒的时间尺度上由来自FLASH的飞秒长XUV脉冲(Frühling等人。, 2009; 舒特等人。, 2012; 欧尔兹等人。, 2017; 施密德等人。, 2019)。FLASH的一个新兴实验类别是将这些可调谐窄带脉冲的强THz场应用于物质的选择性激发或选择性THz控制[有关该场的描述,请参见,例如,Green等人。(2016)、布兹等人。(2018),坎普弗拉斯等人。(2013)和科瓦列夫等人。(2017)]. 在FLASH上进行的第一次实验专注于通过选择性声子激发驱动磁性薄膜的磁化动力学(Radu,2019)以及动态表面过程的THz控制(沃尔塔等人。, 2018).
资金筹措信息
RP、EZ、AK、MR和NS承认德国学术交流服务提供的财政支持(DAAD拨款编号57219839和57393513)。NS承认联邦教育与福松部长的财政支持(批准号:05K12CH4)。JP和AP得到了汉堡DESY(德国)“斯蒂芬森杰出访问者计划”的支持。JP、MR和AK感谢塞尔维亚教育、科学和技术发展部根据第III45010号和OI 171038号拨款以及双边项目451-03-01732/2017-09/6和451-03001038/2015-09/1提供的支持。MG和BG感谢欧洲先进激光光源集群(EUCALL)项目的支持,该项目根据第654220号赠款协议获得了欧盟地平线2020研究和创新项目的资助。弗吉尼亚州感谢德国亚历山大·冯·洪堡基金会的支持。
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