研究论文

固态驱动器（SSD）中与写入和读取相关的DRAM分配策略

作者:

Po-Chen公司 Yeh是的,

中国西安吴,

容祥林、和

明艳吴作者信息和声明

嵌入式计算系统ACM事务,体积22,发行1

条款编号：17，页码1-32

https://doi.org/10.1145/3561301

出版:2022年10月29日出版历史

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摘要

尽管NAND闪存具有体积小、功耗低、抗冲击和访问速度快的优点，但由于其硬件限制，NAND flash内存仍面临“过时更新”、“垃圾收集”和“执行时间不平衡”的问题。通常，闪存转换层（FTL）可以维护映射缓存（在有限的DRAM空间中）以存储频繁访问的地址映射以进行“非常规更新”，并维护读/写缓冲区（在有限DRAM空间内）以存储经常访问的数据以进行“垃圾收集”和“不平衡的执行时间”。在本文中，我们将在固态驱动器（SSD）中提出一种与写相关和与读相关的DRAM分配策略。写相关DRAM分配方法背后的设计思想是，通过构建具有NAND闪存最小预期写入值的统计模型，计算写入缓冲区和写入映射缓存的合适DRAM分配。为了进一步减少NAND闪存中的读取，读相关DRAM分配方法背后的设计思想是采用成本效益策略，将适当的DRAM空间分别从写缓冲区和写映射缓存重新分配到读缓冲区和读映射缓存。根据实验结果，我们可以证明，与其他方法相比，所提出的写相关和读相关DRAM分配策略可以减少NAND闪存中的更多读/写，从而提高响应时间。

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引用人

吴明（Wu M）吴C(2023)固态硬盘（SSD）内部的多流感知DRAM分配策略2023年自适应和收敛系统研究国际会议记录10.1145/3599957.3606209(1-6)在线发布日期：2023年8月6日
https://dl.acm.org/doi/10.1145/35999957.3606209

索引术语

固态驱动器（SSD）中与写入和读取相关的DRAM分配策略

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发布于

嵌入式计算系统上的封面图像ACM事务

嵌入式计算系统ACM事务第22卷第1期

2023年1月

512页

国际标准编号：1539-9087

EISSN公司：1558-3465

内政部：10.1145/3567467

编辑：
图利卡·米特拉
新加坡国立大学

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出版商

计算机协会

美国纽约州纽约市

期刊系列

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出版历史

出版：2022年10月29日

在线AM：2022年9月3日

认可的：2022年8月13日

修订过的：2022年7月13日

收到：2022年3月8日

在TECS中发布体积22,发行1

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吴明（Wu M）吴C(2023)固态硬盘（SSD）内部的多流感知DRAM分配策略2023年自适应和收敛系统研究国际会议记录10.1145/3599957.3606209(1-6)在线发布日期：2023年8月6日
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